2sd718_to3p.pdf

Dobór rezystora do bazy tranzystora.

Bo tak uczą na sstudiach. :) Nie czytałeś artykułów, to nie wiesz. Tranzystor jest wrażliwy na wiele czynników - głównie ciepło. Żeby nie było niespodzianek, że w tranzystorze miało się wydzielić 1W mocy, a wydziela się np. 2W, to do obliczeń przyjmuje się wzmocnienie 10. Poczytaj, koledzy wyjaśnili to dokładniej. Ja wszystkiego nie pamiętam. Zwróć uwagę na wpisy użytkowników Trymer01 i jarek_lnx. No dobrze popatrz na wykres zatytułowany DC Cureent gain. Masz tam wzmocnienie w temperaturach 25 stopni i prądach kolektora od 0.1 do 10A. Wzmocnienie zmienia się w zależności od prądu kolektora. Do tego te zmiany temperatury, których nie ma na wykresie. W załączniku masz tę dokumentację, o które pisałem.


SEMICONDUCTOR

2SD718

TECHNICAL DATA

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION

FEATURES
*Recommended for 45~50W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
*Complementary to 2SB688.

1

TO-3P

1: BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

S YMBOL

Collector- ase V oltage
B
Collector- mitter V oltage
E
E mitter- ase V oltage
B
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25? )
Junction Temperature
S torage Temperature R ange

PARAMETER

3: EMITTER

(Ta=25?)

P AR AME T E R

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

2:COLLECTOR

V CBO
V CEO
V EBO
Ic
IB
Pc
Tj
Tstg

R A T I N GS

U N IT

120
120
5
10
1
80
150
-55 ~150

V
V
V
A
A
W
?
?

(Ta=25?,unless otherwise specified))

SYMBOL

Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO
Collector Cut-off Current
I CBO
Emitter Cut-off CurrentI
I EBO
DC Current Gain
HFE
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
Base-Emitter Voltage
VBE
Tf
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Cob

TEST CONDITION
Ic=50mA,I =0
B
V CB=120V,IE=0
VEB=5V ,Ic=0
VCE =5V,Ic=1A
Ic=6A,IB=0.6A
CE =5V,Ic=5A
VCE =5V,Ic=1A
VCB=10V,IE=0, f=1MHz

MIN

TYP

MAX

120
10
10
160
2.0
1.5

55

12
170

UNIT
V
?A
?A
V
V
MHz
pF

CLASSIFICATION OF hFE
R ANK
R A N GE

2011. 02. 22

R
55- 10
1

Revision No : 0

O
80- 60
1

1/2

2SD718

Ic - V
CE
400

10

300

200

8

100

6

50

4

IB=20mA
2
0

2

4

6

8

10

300
Tc=-25
°C

30

10
0.01

0.03

C
100
T c=

Tc=25°C
Tc=-25
°C

0.01
0.01

0.03

0.1

1

0.3

3

COLLECTOR CURRENT, Ic (A)

10

COLLECTOR POWER DISSIPATION, Pc (W)

COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE, VCE(sat) (V)

0.3

0.03

0.3

1

3

10

Pc - Ta

V CE(sat) - Ic

0.05

0.1

COLLECTOR CURRENT, Ic (A)

COMMON EMITTER
0.5 Ic/IB=10

0.1

Tc=100°C

50

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE (V)

1

Tc=25°C

100

14

12

COMMON EMITTER
VcE=5V

500

0
0

hFE - Ic

1k

COMMON EMITTER
Tc=25°C

DC CURRENT GAIN, h FE

COLLECTOR CURRENT, Ic (A)

12

100

1 Ta=Tc
INFINITE HEAT SINK
2 300 300×2mm AI
HEAT SINK
3 200×200×2mm AI
HEAT SINK
4 100×100×2mm AI
HEAT SINK
5 NO HEAT SINK

1
80
60
2

40

3

4

20

5
0

0

40

80

120

160

200

240

AMBIENT TEMPERATURE, Ta ( ? )

30

SAFE OPERATING AREA
*

t=1mS *
10mS *
100mS *

IC MAX(CONTINUOUS)

10

*

S
T
0m
RA
50
PE 5
O =2
C Tc
D

3

IO
N

1
*SINGLE NONREPETITIVE
0.3 PULSE Tc=25°C CURVES
MUST BE DERATED
LINEARLY WIHT INCREASE
IN TEMPERATURE.
0.1
1
3
10
30

V CEO MAX.

COLLECTOR CURRENT, Ic (A)

IC MAX(PULSED)

100

300

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE (V)

2011. 02. 22

Revision No : 0

2/2


Pobierz plik - link do postu