Bo tak uczą na sstudiach. :) Nie czytałeś artykułów, to nie wiesz. Tranzystor jest wrażliwy na wiele czynników - głównie ciepło. Żeby nie było niespodzianek, że w tranzystorze miało się wydzielić 1W mocy, a wydziela się np. 2W, to do obliczeń przyjmuje się wzmocnienie 10. Poczytaj, koledzy wyjaśnili to dokładniej. Ja wszystkiego nie pamiętam. Zwróć uwagę na wpisy użytkowników Trymer01 i jarek_lnx. No dobrze popatrz na wykres zatytułowany DC Cureent gain. Masz tam wzmocnienie w temperaturach 25 stopni i prądach kolektora od 0.1 do 10A. Wzmocnienie zmienia się w zależności od prądu kolektora. Do tego te zmiany temperatury, których nie ma na wykresie. W załączniku masz tę dokumentację, o które pisałem.
SEMICONDUCTOR
2SD718
TECHNICAL DATA
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION
FEATURES
*Recommended for 45~50W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
*Complementary to 2SB688.
1
TO-3P
1: BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S YMBOL
Collector- ase V oltage
B
Collector- mitter V oltage
E
E mitter- ase V oltage
B
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25℃ )
Junction Temperature
S torage Temperature R ange
PARAMETER
3: EMITTER
(Ta=25℃)
P AR AME T E R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2:COLLECTOR
V CBO
V CEO
V EBO
Ic
IB
Pc
Tj
Tstg
R A T I N GS
U N IT
120
120
5
10
1
80
150
-55 ~150
V
V
V
A
A
W
℃
℃
(Ta=25℃,unless otherwise specified))
SYMBOL
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO
Collector Cut-off Current
I CBO
Emitter Cut-off CurrentI
I EBO
DC Current Gain
HFE
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
Base-Emitter Voltage
VBE
Tf
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Cob
TEST CONDITION
Ic=50mA,I =0
B
V CB=120V,IE=0
VEB=5V ,Ic=0
VCE =5V,Ic=1A
Ic=6A,IB=0.6A
CE =5V,Ic=5A
VCE =5V,Ic=1A
VCB=10V,IE=0, f=1MHz
MIN
TYP
MAX
120
10
10
160
2.0
1.5
55
12
170
UNIT
V
μA
μA
V
V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE
R ANK
R A N GE
2011. 02. 22
R
55- 10
1
Revision No : 0
O
80- 60
1
1/2
2SD718
Ic - V
CE
400
10
300
200
8
100
6
50
4
IB=20mA
2
0
2
4
6
8
10
300
Tc=-25
°C
30
10
0.01
0.03
C
100
T c=
Tc=25°C
Tc=-25
°C
0.01
0.01
0.03
0.1
1
0.3
3
COLLECTOR CURRENT, Ic (A)
10
COLLECTOR POWER DISSIPATION, Pc (W)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE, VCE(sat) (V)
0.3
0.03
0.3
1
3
10
Pc - Ta
V CE(sat) - Ic
0.05
0.1
COLLECTOR CURRENT, Ic (A)
COMMON EMITTER
0.5 Ic/IB=10
0.1
Tc=100°C
50
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE (V)
1
Tc=25°C
100
14
12
COMMON EMITTER
VcE=5V
500
0
0
hFE - Ic
1k
COMMON EMITTER
Tc=25°C
DC CURRENT GAIN, h FE
COLLECTOR CURRENT, Ic (A)
12
100
1 Ta=Tc
INFINITE HEAT SINK
2 300 300×2mm AI
HEAT SINK
3 200×200×2mm AI
HEAT SINK
4 100×100×2mm AI
HEAT SINK
5 NO HEAT SINK
1
80
60
2
40
3
4
20
5
0
0
40
80
120
160
200
240
AMBIENT TEMPERATURE, Ta ( ℃ )
30
SAFE OPERATING AREA
*
t=1mS *
10mS *
100mS *
IC MAX(CONTINUOUS)
10
*
S
T
0m
RA
50
PE 5
O =2
C Tc
D
3
IO
N
1
*SINGLE NONREPETITIVE
0.3 PULSE Tc=25°C CURVES
MUST BE DERATED
LINEARLY WIHT INCREASE
IN TEMPERATURE.
0.1
1
3
10
30
V CEO MAX.
COLLECTOR CURRENT, Ic (A)
IC MAX(PULSED)
100
300
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE (V)
2011. 02. 22
Revision No : 0
2/2